在AI时代，赚得盆满钵满的存储巨头们，正将行业景气度不断传递至其上游——半导体设备环节。
近日，SK海力士签署了一份高达815.6亿韩元的半导体设备供应合同，合作对象为韩国唯一刻蚀设备供应商VM公司。经测算，此次合同的价值相当于该公司2024全年合并营收的116%。
据媒体援引知情人士消息，VM公司今年来自SK海力士等存储厂商的相关订单累计已达2246亿韩元。按照市场分析师此前预测，VM公司今年收入将在2200亿至2300亿韩元之间。公司高管认为，2026年公司营收将创历史新高。他表示：“产能扩张正在进行，因此今年可能会有更多订单。”
VM公司订单快速起量并非个例，在最近一次摩根士丹利媒体会议上，美国半导体设备制造龙头Lam Research首席财务官Doug Bettinger表示：“自从3D NAND技术推出后，Lam Research的营收翻了一番。预计DRAM也将带来类似的营收增长机会。”
资料显示，Lam Research在3D NAND等先进存储技术领域具有一定优势，这类技术能通过垂直堆叠提高单位面积的存储密度。Doug Bettinger指出，如今半导体架构正朝着3D方向发展，除了NAND，DRAM也将从6F²过渡到4F²，并最终发展成为3D DRAM。
有券商分析称，在AI算力需求爆发背景下，HBM带动DRAM高阶制程升级，3D NAND向400层以上堆叠演进，使得单万片产能投资额同步提升。
东方证券指出，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备用量占比也将不断攀升。与2D NAND时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同，3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比；此外，DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展，有望进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量。
Lam Research预测，今年前道设备市场将增长23%。为满足客户需求，该公司正在扩大包括马来西亚工厂在内的多家工厂的产能。
▌设备工艺迎“升级潮”
除了需求量攀升，半导体设备工艺也有望随着存储技术的演进而水涨船高。
据报道，随着HBM封装堆叠高度不断增加，业界开始关注放宽半导体封装规格的可能性。日前，联合电子器件工程委员会（JEDEC）正考虑将HBM封装的高度标准从目前的约775微米提高到900微米。
在近日举行的全球半导体盛会SEMICON China 2026期间，韩美半导体宣布推出新一代HBM生产设备“宽尺寸TC键合机”。据介绍，这款设备能够随着HBM芯片面积的扩大，稳定增加TSV（硅通孔）和I/O（输入/输出接口）的数量。通过增加连接DRAM芯片和中介层的微凸点数量，能够确保内存容量和带宽，并提高能效。
与此同时，北方华创、中微公司等分别发布新一代刻蚀设备，并不约而同提到存储技术发展对行业产生的影响：
北方华创表示，全球算力与存储芯片需求的爆发，带动半导体设备市场持续增长。其设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，可满足更先进节点的芯片制造要求。
中微公司表示，随着先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求日益严苛，刻蚀设备面临着对刻蚀精度、均匀性、深宽比等多重挑战。
中信证券表示，考虑到本轮存储上行周期以及下游积极的逻辑需求，预计2026年全球半导体晶圆制造设备（WFE）市场规模将维持高个位数百分比同比增长，且存储占比有望进一步提升。
东吴证券认为，存储端高层数3D堆叠对高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子级沉积技术提出更高要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程演进呈提升趋势。
该机构进一步强调，多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升，设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。
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